Samsung SSD 990 EVO Plus SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280

Samsung SSD 990 EVO Plus SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - Op til 7,250 MB/sSamsung 990 EVO Plus er et kraftfuldt internt solid state-drev, der er designet til at forbedre lagringsydelsen med en kapacitet på 2 TB. Med Samsung V-NAND TLC-teknologi sikrer dette drev højhastighedsdataoverførsel med en intern datahastighed på 7250 MBps og en skrivehastighed på 6300 MBps, hvilket muliggør problemfri drift til krævende applikationer og håndtering af store filer. Med understøttelse af PCI Express 4.0- og 5.0-grænseflader opfylder den forskellige systemkrav, samtidig med at den er hurtig og pålidelig.Effektiv dataoverførselMed interne datahastigheder på op til 7250 MBps kan data overføres hurtigt, hvilket giver hurtigere opstartstider og hurtigere indlæsning af programmer.Høj holdbarhedMed en stødmodstand på op til 1500 g og en vibrationstolerance er dette drev robust nok til at modstå fysisk stress og sikre pålidelig drift i forskellige miljøer.Avanceret styring af ydeevneUnderstøtter TRIM, Auto Garbage Collection og Device Sleep for at optimere ydeevnen og forlænge drevets levetid, hvilket gør det velegnet til både daglig brug og krævende applikationer.Forbedrede sikkerhedsfunktionerDrevet er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 og giver robuste sikkerhedsforanstaltninger for at beskytte følsomme data mod uautoriseret adgang.GenereltBredde: 22.15 mmDybde: 80.15 mmEgenskaber: TRIM supportAuto Garbage Collection AlgorithmDevice Sleep supportHost Memory Buffer (HMB)Intelligent TurboWrite TechnologySamsung V-NAND TLC TechnologyS.M.A.R.T.IEEE 1667Enhedstype: Solid state-drev - internGrænseflade: PCIe 5...

Samsung SSD 990 EVO Plus SSD - 2TB - PCIe 5.0 - M.2 2280 - Op til 7,250 MB/sSamsung 990 EVO Plus er et kraftfuldt internt solid state-drev, der er designet til at forbedre lagringsydelsen med en kapacitet på 2 TB. Med Samsung V-NAND TLC-teknologi sikrer dette drev højhastighedsdataoverførsel med en intern datahastighed på 7250 MBps og en skrivehastighed på 6300 MBps, hvilket muliggør problemfri drift til krævende applikationer og håndtering af store filer. Med understøttelse af PCI Express 4.0- og 5.0-grænseflader opfylder den forskellige systemkrav, samtidig med at den er hurtig og pålidelig.Effektiv dataoverførselMed interne datahastigheder på op til 7250 MBps kan data overføres hurtigt, hvilket giver hurtigere opstartstider og hurtigere indlæsning af programmer.Høj holdbarhedMed en stødmodstand på op til 1500 g og en vibrationstolerance er dette drev robust nok til at modstå fysisk stress og sikre pålidelig drift i forskellige miljøer.Avanceret styring af ydeevneUnderstøtter TRIM, Auto Garbage Collection og Device Sleep for at optimere ydeevnen og forlænge drevets levetid, hvilket gør det velegnet til både daglig brug og krævende applikationer.Forbedrede sikkerhedsfunktionerDrevet er udstyret med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 og giver robuste sikkerhedsforanstaltninger for at beskytte følsomme data mod uautoriseret adgang.GenereltBredde: 22.15 mmDybde: 80.15 mmEgenskaber: TRIM supportAuto Garbage Collection AlgorithmDevice Sleep supportHost Memory Buffer (HMB)Intelligent TurboWrite TechnologySamsung V-NAND TLC TechnologyS.M.A.R.T.IEEE 1667Enhedstype: Solid state-drev - internGrænseflade: PCIe 5...